半导体掩模写入与外延工艺

占地面积减半，生产率提高 1.5 倍！性价比极佳！

自动尺寸测量系统

SOKUDO DUO 高生产率，大于 450 WPH 的双轨系统

适用于高级封装的直接成像系统

下一代多功能性、速度和功能

紧凑型半螺距一浴批量清洗系统

为提高最先进设备的特性做出了重大贡献

用于面板级包装的狭缝涂布机系统

椭圆偏振膜厚测量系统

推出下一代功率器件和汽车器件的涂层/开发轨道系统

具有 3D 结构的灵活、优化的 MEMS 涂层

灵活处理各种基材

出色的功能和可扩展性轻松应对新兴需求

先进的传输系统可实现每小时高达 800 片晶圆的高吞吐量

适用于 200 mm 晶圆的旋转洗涤器，吞吐量高达 500 wph

先进的洗涤器具有与备受推崇的 SS 系列相同的稳定性和可靠性

传承高端单晶圆清洗技术，性价比卓越

可扩展至 12 个腔室，吞吐量高达每小时 800 片晶圆

单晶圆清洗机结合了多达 24 个腔室的卓越生产力，从而实现了高加工技术

高吞吐量批量清洗系统实现灵活的生产线配置

紧凑的设计提供更高的速度和性价比

配备三种不同分辨率的镜头 高分辨率、高生产率的晶圆图案检测系统

EBM－8000P/H 用于 16/14nm 节点生产 EBM－8000P/M 用于 45～20nm 节点生产

适用于 7nm+/5nm 节点的可变 EB 掩模写入系统“EBM-9500PLUS”。

适用于 3nm 节点设计规则的多 EB 掩模写入器“MBM™-2000”

适用于 3nm+ 节点设计规则的多 EB 掩模写入器“MBM™-2000”

EPIREVO™ G8 MOCVD 系统可在 8 英寸硅基板上以高生长速率沉积高质量 GaN 薄膜。 EPIREVO™ G8 可实现低成本 LED 生产以及高性能功率器件应用，这两者都有助于社会减少碳足迹。

EPIREVO™ S6 将改进的 SiC 功率器件质量与低成本生产相结合。 EPIREVO™ S6 通过其 6 英寸产能、大于 50 µm/小时的生长速率和高温晶圆处理实现了高生产率。

EPIREVO™ S8 通过其 8 英寸功能实现高生产率，其配置和占地面积与用于 6 英寸晶圆的 EPIREVO™ S6 相同。

EB Mask Writer是以电子束写入控制技术为核心技术，集成了精密机械控制、大规模数据处理、激光测量技术等先进基础技术的设备。

高生长速率的单晶圆外延反应器可生产高质量的外延薄膜。

高生产率掩模检测系统