Variable EB Mask Writer EBM-8000P/H・EBM-8000P/M可变EB掩模写入器EBM-8000P/H・EBM-8000P/MEBM－8000P/H 用于 16/14nm 节点生产 EBM－8000P/M 用于 45～20nm 节点生产查看设备详情
Multi-EB Mask Writer MBM™-2000 PLUS多 EB 掩模写入器 MBM™-2000 PLUS适用于 3nm+ 节点设计规则的多 EB 掩模写入器“MBM™-2000”查看设备详情
EPIREVO™ G8 8” single-wafer GaN-on-Si MOCVDEPIREVO™ G8 8”单晶圆硅基氮化镓 MOCVDEPIREVO™ G8 MOCVD 系统可在 8 英寸硅基板上以高生长速率沉积高质量 GaN 薄膜。 EPIREVO™ G8 可实现低成本 LED 生产以及高性能功率器件应用，这两者都有助于社会减少碳足迹。查看设备详情
EPIREVO™ S6 6” single-wafer SiC Epitaxial ReactorEPIREVO™ S6 6”单晶圆碳化硅外延反应器EPIREVO™ S6 将改进的 SiC 功率器件质量与低成本生产相结合。 EPIREVO™ S6 通过其 6 英寸产能、大于 50 µm/小时的生长速率和高温晶圆处理实现了高生产率。查看设备详情
EPIREVO™ S8 8” single-wafer SiC Epitaxial ReactorEPIREVO™ S8 8”单晶圆碳化硅外延反应器EPIREVO™ S8 通过其 8 英寸功能实现高生产率，其配置和占地面积与用于 6 英寸晶圆的 EPIREVO™ S6 相同。查看设备详情
