EPIREVO™ S6 6” single-wafer SiC Epitaxial Reactor
EPIREVO™ S6 将改进的 SiC 功率器件质量与低成本生产相结合。 EPIREVO™ S6 通过其 6 英寸产能、大于 50 µm/小时的生长速率和高温晶圆处理实现了高生产率。
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EPIREVO™ S6 将改进的 SiC 功率器件质量与低成本生产相结合。 EPIREVO™ S6 通过其 6 英寸产能、大于 50 µm/小时的生长速率和高温晶圆处理实现了高生产率。
特征
高生产率
连续生长：150 µm 薄膜。
高生长速率：> 50 µm/小时。
中国版だけ3つ目の项目がありませんがどうしますか？
出色的晶圆温度均匀性
4”晶圆：<1℃
6”晶圆：<2℃
高品质
优异的均匀性(σ/mean) 厚度均匀性 : < 2 % (E.E=3 mm) 掺杂均匀性 : < 4 % (E.E.=6 mm)
低缺陷密度：0.02/cm -2
通过机器人自动传送晶圆
晶圆盒到晶圆盒的传送
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