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Variable EB Mask Writer EBM-8000P/H・EBM-8000P/M
EBM－8000P/H 用于 16/14nm 节点生产 EBM－8000P/M 用于 45～20nm 节点生产
科桥实验提供 NuFlare Technology Variable EB Mask Writer EBM-8000P/H・EBM-8000P/M 的型号核对、选型咨询、报价沟通、采购支持、安装培训和售后协同服务。
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EBM－8000P/H 用于 16/14nm 节点生产 EBM－8000P/M 用于 45～20nm 节点生产
EB掩模写入器EBM-8000P/H・EBM-8000P/M
适用于45～14nm节点的可变EB掩模写入系统“EBM-8000P/H、EBM-8000P/M”。
特征
1) 50kV加速电压可实现更大对比度的写入。
2) 高通量、可变级速度和高电流密度(400A/㎠)
3）广泛技术节点的低COO（拥有成本）。
关键参数
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