EPIREVO™ S8 8” single-wafer SiC Epitaxial Reactor
EPIREVO™ S8 通过其 8 英寸功能实现高生产率，其配置和占地面积与用于 6 英寸晶圆的 EPIREVO™ S6 相同。
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EPIREVO™ S8 通过其 8 英寸功能实现高生产率，其配置和占地面积与用于 6 英寸晶圆的 EPIREVO™ S6 相同。
特征
高生产率
高生长速率：> 50 µm/小时
维护周期长
低缺陷密度
晶圆上的最小塌陷密度
长期低缺陷密度
高品质
优异的均匀性(σ/mean) 厚度均匀性 : < 2 % (E.E=5 mm) 掺杂均匀性 : < 5 % (E.E.=5 mm)
出色的晶圆温度控制
2点直接温度监测
IN 和 OUT 加热器的独立温度控制
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