EPIREVO™ G8 8” single-wafer GaN-on-Si MOCVD
EPIREVO™ G8 MOCVD 系统可在 8 英寸硅基板上以高生长速率沉积高质量 GaN 薄膜。 EPIREVO™ G8 可实现低成本 LED 生产以及高性能功率器件应用，这两者都有助于社会减少碳足迹。
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EPIREVO™ G8 MOCVD 系统可在 8 英寸硅基板上以高生长速率沉积高质量 GaN 薄膜。 EPIREVO™ G8 可实现低成本 LED 生产以及高性能功率器件应用，这两者都有助于社会减少碳足迹。
特征
高生产率
高 GaN 生长速率：> 9 µm/小时
快速升温速率：>200℃/分钟
高品质
8英寸晶圆温度均匀性：<2℃
1100℃无滑移、无硅回熔
低成本
TMG利用率高：>20%
通过原位清洁延长系统正常运行时间
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