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高生长速率的单晶圆外延反应器可生产高质量的外延薄膜。

特征

核心技术

垂直气流和高速晶圆旋转相结合，在晶圆上方形成均匀的超薄边界层 (*)。

结果，观察到以下反应，导致20%至30%的高气体转化率，从而带来高速生长。

1. 热分解产生的 SiHCl3 → SiCl2* ↓ + HCl ↑SiCl 2 * 被吸收到晶圆表面。

2. SiCl2* + H2 → Si ↓ + 2HCl ↑ 单晶硅在晶圆表面生长。

(*) 边界层是在晶圆表面上方发生沉积反应的厚度方向区域。

气体转化率根据晶圆旋转速度而变化。结果，随着旋转速度加快，外延生长速率变得更高。

发展路线图

外延生长系统是沿着均匀的晶体方向在硅晶片上形成一层单晶材料的过程。 NuFlare Technology推出用于碳化硅(SiC)器件的CVD系统「EPIREVO™ S6」、「EPIREVO™ S8」和用于氮化镓硅(GaN-on-Si)器件的「EPIREVO™ G8」。这些系统是采用硅外延生长系统「HT2000FD」的高速晶圆旋转技术开发的。※「HT2000FD」我们已经停产（仅提供维护服务）。