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共 66 条 · 半导体工艺设备

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Beneq Transmute™

Beneq Transmute™

Beneq Transmute™

Beneq Transmute™ 为大批量生产带来 ALD 精度。基于 Beneq 专有的 3 步 ALD 方法（结合等离子体预处理、等离子体增强 ALD 和热批量 ALD），它能够在不同的形貌上实现均匀的薄膜和稳定的界面。

200 mm 晶圆上的全表面离子束蚀刻

Full Surface Ion Beam Etching on 200 mm Wafers

200 mm 晶圆上的全表面离子束蚀刻

离子束蚀刻系统 scia Mill 200 使用宽离子束来构建基材。由于其完全反应气体兼容性，RIBE 和 CAIBE 成为可能。

超过 750 mm x 750 mm 的大面积涂层和蚀刻

Large Area Coating and Etching over 750 mm x 750 mm

超过 750 mm x 750 mm 的大面积涂层和蚀刻

用于具有高速率和多种沉积参数的高密度等离子体工艺 (PECVD) 以及反应离子蚀刻 (RIE) 的系统。

适用于直径达 1500 毫米的大型基材的多层涂层。

Multilayer Coatings for Large Substrates up to 1500 mm in dia.

适用于直径达 1500 毫米的大型基材的多层涂层。

用于软 X 射线和 EUVL 光学器件的磁控溅射。在直径达 1500 毫米的弯曲基材上进行周期性多层涂层。

用于精确纳米结构的掠射角沉积

Glancing Angle Deposition for Precise Nanostructures

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半导体工艺设备

薄膜沉积与PVD系统

快速热处理与CVD/ALD系统

铁电与压电测试系统

半导体涂胶显影与晶圆处理设备

激光光谱与光子学系统

光刻、太阳模拟与计量设备

晶圆键合、光刻与量测系统

晶圆检测、晶体生长与等离子工艺设备

低温、磁学与材料表征系统

薄膜沉积、PVD/ALD 与真空系统

光刻、无掩模直写与曝光系统

扫描探针、低温显微与磁测量系统

开尔文探针、表面电势与光电子系统

介电、阻抗与温控测量系统

晶圆键合、对准与键合系统

磁光克尔效应与无掩模光刻系统

离子注入系统

薄膜沉积与真空工艺系统

半导体二手设备

半导体检测量测设备

半导体沉积与热处理设备

半导体耗材

用于精确纳米结构的掠射角沉积

借助 scia Eva 200，可以通过电子束 (e-beam) 蒸发在最大 200 mm 的晶圆上沉积致密、超纯的涂层。可选离子束源。

300 mm 晶圆上的复杂多层结构

Structuring of Complex Multilayers on 300 mm Wafers

300 mm 晶圆上的复杂多层结构

在最大 300 毫米的各种基材材料上构建复杂的多层结构。 RIBE 和 CAIBE 工艺完全兼容反应气体。

300 mm 晶圆上磁控溅射多层膜

Multilayers by Magnetron Sputtering on 300 mm Wafers

300 mm 晶圆上磁控溅射多层膜

300 mm 晶圆上的周期性均匀多层。使用多达 4 个磁控管沉积金属、氧化物和氮化物层，无需破坏真空。

enVISTA 紫外/可见/近红外瞬态吸收光谱仪

enVISTA

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Magnitude Instruments enVISTA 面向半导体工艺验证、产线补线与设备流通场景，页面整理公开资料中的型号、用途和初步选型要点，适合科研检测、材料表征、工艺验证或设备采购沟通。

enVISion 紫外/可见/近红外 TA 光谱仪

enVISion

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Magnitude Instruments enVISion 面向半导体工艺验证、产线补线与设备流通场景，页面整理公开资料中的型号、用途和初步选型要点，适合科研检测、材料表征、工艺验证或设备采购沟通。

inspIRe 紧凑型中红外 TA 光谱仪

inspIRe

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NEXUS PVD-1 物理气相沉积系统

NEXUS PVD-1 Physical Vapor Deposition System

NEXUS PVD-1 物理气相沉积系统

气相沉积模块。该系统与各种晶圆尺寸兼容，可针对多种数据存储应用进行定制，例如氧化物和氮化物沉积以及磁性材料。它还为半导体、砷化镓和封装应用提供高性能、经济高效的工具。

EpiStride SiC CVD 系统

EpiStride SiC CVD System

EpiStride SiC CVD 系统

推出碳化硅 EpiStride 系统：SiC 外延领域的新进步