EpiStride SiC CVD System
推出碳化硅 EpiStride 系统：SiC 外延领域的新进步
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推出碳化硅 EpiStride 系统：SiC 外延领域的新进步
Veeco 针对化合物半导体市场的最新技术可实现 6 英寸和 8 英寸晶圆生产的高性能碳化硅化学气相沉积。该平台可在日常清洁维护后 5 小时内恢复生产。与竞争系统相比，EpiStride 系统的正常运行时间长、周期时间短且整体性能稳定，使每片晶圆的拥有成本最低。
特点和优点
用于碳化硅外延的单晶圆、错流、热壁化学气相沉积 (CVD) 系统
能够加工最大 200 毫米的任何尺寸晶圆
提供单室或双室配置
确保最高的外延质量
EpiStride 系统可以生长标准 10-15 um 厚度的外延层，厚度均匀性远低于 1%，掺杂均匀性低于 2%
在日常清洁和维护操作之间的整个活动周期中可重复实现此性能
提供无与伦比的易用性
唯一能够在 < 5 小时（绿色到绿色时间）内完成日常清洁维护的系统，其中人工接触时间 < 1 小时
通过手套箱在惰性环境中进行日常清洁维护，可轻松进入反应器
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