Structuring of Complex Multilayers on 300 mm Wafers
在最大 300 毫米的各种基材材料上构建复杂的多层结构。 RIBE 和 CAIBE 工艺完全兼容反应气体。
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scia Mill 300 设计用于对直径最大 300 毫米的各种基材进行离子束蚀刻。不同的终点检测系统可实现精确的过程控制，并且系统的完全反应气体兼容性可提高反应蚀刻过程的选择性和速率。由于 scia Mill 300 的灵活设计，该系统既可用于带盒装载的大批量生产，也可用于带单个基材装载锁的小规模生产。
特点和优点
通过可倾斜和可旋转的基板支架调整蚀刻角度
无需整形器即可实现出色的均匀性
提高反应气体的选择性和速率
通过精确的 SIMS 或光学终点检测进行过程控制
由于良好的晶圆冷却，可以使用光刻胶掩模处理晶圆
可变集群布局中的全自动包埋盒处理，包括 SECS/GEM 通信
应用领域
作为增强现实 (AR) 光耦合器的倾斜表面浮雕光栅 (SRG) 的反应离子束蚀刻。左：不同入射角下的离子束蚀刻。右：蚀刻石英光栅的原理和 SEM 结果。
磁存储器 (MRAM) 和传感器（GMR、TMR 等）的结构
金属（Au、Ru、Ta、...）、压电和介电材料（PZT、KNN、AlScN、InP、Cu、Pt、Au、...）的结构化，例如用于 MEMS 生产
用于失效分析的多层结构分层
用于光子集成电路 (PIC) 的波导（LiNbO3、BTO 等）图案化
生产用于增强现实的倾斜表面浮雕光栅 (SRG)
化合物半导体（GaAs、GaN、InP 等）的化学辅助离子束蚀刻 (CAIBE)
离子束平滑以降低微观粗糙度
用于 AR 和 MR 设备的表面浮雕光栅
用于隧道磁阻 (TMR) 传感器的磁性多层膜
用于红外传感器的超薄钽酸锂的制造
IC芯片器件逆向工程
原则
圆形离子束源使用惰性或反应气体以规定的角度蚀刻整个基板区域
离子束蚀刻 (IBE)/离子束铣削 (IBM) 使用惰性气体离子准直束进行结构化或材料去除。
反应离子束蚀刻 (RIBE) 将反应气体引入离子束源中，对表面进行反应蚀刻。
化学辅助离子束蚀刻 (CAIBE) 使用独立于离子束的反应气体对表面进行反应蚀刻。
离子束蚀刻 (IBE)
反应离子束蚀刻
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