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共 4 条 · 热处理与半导体工艺炉

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RTP-100-HVL.jpg

RTP-100

UNITEMP RTP-100 快速热真空处理炉

RTP-100 是前装载式快速热真空处理炉,官网列出升温速率最高 150 K/sec,适用于最高 100 mm 单片晶圆或 100 mm x 100 mm 基片。
  • 升温速率最高 150 K/sec
  • 晶圆/基片尺寸最高 100 mm(4 英寸)单片晶圆或 100 mm x 100 mm 基片
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RTP-150offen.jpg

RTP-150

UNITEMP RTP-150 快速热真空处理炉

RTP-150 是前装载式快速热真空处理炉,官网列出升温速率最高 75 K/sec,适用于最高 150 mm 单片晶圆或 156 mm x 156 mm 基片。
  • 升温速率最高 75 K/sec
  • 晶圆/基片尺寸最高 150 mm(6 英寸)单片晶圆或 156 mm x 156 mm 基片
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EN_812a087b75b3_RTP-200UHEopengraphit.jpg

RTP-200

UNITEMP RTP-200 快速热真空处理炉

RTP-200 是可带或不带高真空配置的快速热真空处理炉,官网列出适用于最高 200 mm(8 英寸)单片晶圆。
  • 晶圆尺寸最高 200 mm(8 英寸)单片晶圆
  • 升温速率最高 50 K/sec,可选 100 K/sec
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EN_db224916b448_UNIH2-Haube2021wafer3.JPG

VPO-300

UNITEMP VPO-300 真空处理炉

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半导体工艺设备
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半导体沉积与热处理设备
半导体耗材
VPO-300 是自动垂直开闭式真空处理炉,官网列出适用于最高 300 x 300 mm 基片尺寸,温度最高 1000°C。
  • 基片尺寸最高 300 x 300 mm
  • 温度最高 1000°C
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