200 mm 晶圆上的全表面离子束蚀刻

产品信息

scia Mill 200 设计用于构建各种材料的复杂多层结构。为了实现精确的过程控制，可以配备不同的终点检测系统。凭借其完全反应气体兼容性，该系统能够实现具有更高选择性和速率的反应蚀刻工艺。 scia Mill 200 的灵活设计使其能够适应单基板版本以及具有多达三个处理室和两个盒加载锁的大批量生产集群布局。

特点和优点

通过可倾斜和可旋转的基板支架调整蚀刻角度

无需整形器即可实现出色的均匀性

提高反应气体的选择性和速率

通过精确的 SIMS 或光学终点检测进行过程控制

由于良好的晶圆冷却，可以使用光刻胶掩模处理晶圆

可变集群布局中的全自动包埋盒处理，包括 SECS/GEM 通信

具有 3 个处理室和盒处理的集群布局

具有 2 个处理室和盒处理的集群布局

具有单基板装载锁的单室

带包埋盒处理的单室

应用领域

使用 SIMS 光谱法蚀刻自旋电子传感器的层堆叠可以确定层变化边界，从而可以精确定义角度和蚀刻停止点的变化点。左：层堆栈。右：SIMS 材料检测。

磁存储器 (MRAM) 和传感器（GMR、TMR 等）的结构

金属（Au、Ru、Ta、...）、压电和介电材料（PZT、KNN、AlScN、InP、Cu、Pt、Au、...）的结构化，例如用于 MEMS 生产

用于失效分析的多层结构分层

用于光子集成电路 (PIC) 的波导（LiNbO3、BTO 等）图案化

生产用于增强现实的倾斜表面浮雕光栅 (SRG)

化合物半导体（GaAs、GaN、InP 等）的化学辅助离子束蚀刻 (CAIBE)

离子束平滑以降低微观粗糙度

用于 AR 和 MR 设备的表面浮雕光栅

用于隧道磁阻 (TMR) 传感器的磁性多层膜

用于红外传感器的超薄钽酸锂的制造

IC芯片器件逆向工程

原则

圆形离子束源使用惰性或反应气体以规定的角度蚀刻整个基板区域

离子束蚀刻 (IBE)/离子束铣削 (IBM) 使用惰性气体离子准直束进行结构化或材料去除。