Large Area Coating and Etching over 750 mm x 750 mm
用于具有高速率和多种沉积参数的高密度等离子体工艺 (PECVD) 以及反应离子蚀刻 (RIE) 的系统。
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scia Cube 750 专为大面积高密度等离子体工艺而设计。该系统能够实现高速率和多种沉积参数的沉积。此外，可以使用氧或卤素化学物质进行蚀刻工艺，以实现高各向异性蚀刻和/或优化的选择性。
特点和优点
使用同步线性微波源阵列进行大面积处理
基板支架上的独立射频偏压可用于高能基板轰击
基材面朝下方向可最大限度地减少颗粒负载
基板冷却（-10°C）
腔体原位清洗工艺
配备真空装载锁和大气储存系统的全自动化
应用领域
石英样品上的结构化计算机生成全息图 (CGH) 的 SEM 图片，由 IMS Stuttgart 提供。
PECVD 工艺沉积介电薄膜，例如封装、阻隔涂层、电绝缘（SiO2、Si3N4...）光学和防刮涂层（a-C:H、DLC）
介电薄膜的沉积，例如封装、阻隔涂层、电绝缘（SiO2、Si3N4...）
光学和防刮涂层（a-C:H、DLC）
RIE 工艺金属（Ni、Cr、Pt...）的反应蚀刻和结构化光学材料（石英、熔融石英）中的光栅和其他结构的蚀刻光刻胶的灰化
金属（Ni、Cr、Pt……）的反应蚀刻和结构化
光学材料（石英、熔融石英）中的光栅和其他结构的蚀刻
光刻胶灰化
应用说明
用于玻璃压缩模具的 DLC 沉积
原则
反应气体等离子体由微波源产生
通过射频偏压增强离子轰击
等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 是一种等离子体辅助反应工艺，可在基材上将薄膜从气态（蒸气）沉积为固态。
反应离子蚀刻 (RIE) 使用反应气体和离子轰击对基材表面进行物理和化学蚀刻。
详细信息
基材尺寸（最大）
750 毫米 x 750 毫米
基板支架
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