产品信息

适用于大批量生产的一流 ALD 薄膜

适用于宽带隙功率、射频和其他专用器件的高吞吐量 ALD 平台

宽带隙功率和射频设备需要保形薄膜、坚固的电介质以及在日益复杂的设备架构中的原子级工程。传统的沉积方法通常无法满足制造规模的这些要求。

Beneq Transmute™ 为大批量生产带来 ALD 精度。基于 Beneq 专有的 3 步 ALD 方法（结合等离子体预处理、等离子体增强 ALD 和热批量 ALD），它能够在不同的形貌上实现稳定的界面和均匀的薄膜。

Transmute™ 凭借经过验证的可靠性、可扩展架构和较低的拥有成本，支持下一代电源、射频和其他专用设备的大规模生产。

克服最严峻的集成挑战

适用于先进 GaN、SiC 和 RF 器件的共形电介质、钝化和接口控制 - 跨越传统方法无法满足的拓扑结构。

不妥协的扩展

生产就绪的 ALD 平台可提供一致的结果并降低拥有成本。适用于 200 毫米晶圆厂的专有室设计和先进的前驱体剂量。

扩展 ALD 的用途

在一个可配置集群中进行热和等离子体增强 ALD。根据您的应用和工艺要求量身定制的专用工具配置。

希望在您的产品设计和生产中采用 ALD？

了解有关 Beneq 开发服务的更多信息。请访问我们的常见问题解答页面以获得专家指导。

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