Beneq Transmute™
Beneq Transmute™ 为大批量生产带来 ALD 精度。基于 Beneq 专有的 3 步 ALD 方法（结合等离子体预处理、等离子体增强 ALD 和热批量 ALD），它能够在不同的形貌上实现均匀的薄膜和稳定的界面。
科桥实验提供 Beneq Beneq Transmute™ 在全国范围内的型号核对、选型咨询、报价沟通、采购支持、安装培训和售后协同服务，价格面议。
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适用于大批量生产的一流 ALD 薄膜
适用于宽带隙功率、射频和其他专用器件的高吞吐量 ALD 平台
宽带隙功率和射频设备需要保形薄膜、坚固的电介质以及在日益复杂的设备架构中的原子级工程。传统的沉积方法通常无法满足制造规模的这些要求。
Beneq Transmute™ 为大批量生产带来 ALD 精度。基于 Beneq 专有的 3 步 ALD 方法（结合等离子体预处理、等离子体增强 ALD 和热批量 ALD），它能够在不同的形貌上实现稳定的界面和均匀的薄膜。
Transmute™ 凭借经过验证的可靠性、可扩展架构和较低的拥有成本，支持下一代电源、射频和其他专用设备的大规模生产。
克服最严峻的集成挑战
适用于先进 GaN、SiC 和 RF 器件的共形电介质、钝化和接口控制 - 跨越传统方法无法满足的拓扑结构。
不妥协的扩展
生产就绪的 ALD 平台可提供一致的结果并降低拥有成本。适用于 200 毫米晶圆厂的专有室设计和先进的前驱体剂量。
扩展 ALD 的用途
在一个可配置集群中进行热和等离子体增强 ALD。根据您的应用和工艺要求量身定制的专用工具配置。
希望在您的产品设计和生产中采用 ALD？
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