薄膜沉积与等离子体工艺

PD-100ST是一种用于研发的低温(80 ~ 400°C)、高速(>300 nm/min)等离子体增强CVD系统。Samco独特的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到极厚的薄膜（高达100 µm）。PD-100ST具有时尚、紧凑的设计，只需要最小的洁净室空间。

PD-200STL是一种用于研发的低温(80~400℃)、高速(>300nm/min)等离子体增强型CVD系统。Samco独特的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到极厚的薄膜（高达100μm）。PD-200STL具有时尚、紧凑的设计，只需要最小的洁净室空间。

PD-270STLC是一种低温(80 ~ 400°C)、高速(>300 nm/min)的等离子体增强CVD系统，可用于大规模生产。Samco独特的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到极厚的薄膜（高达100 µm）。该系统通过采用大气盒装载和ø236毫米的托架实现了高产量，可安装三个ø4英寸的晶圆。

PD-330STC是一种低温(80 ~ 400°C)、高速(>300 nm/min)的等离子体增强CVD系统，可用于大规模生产。Samco独特的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到极厚的薄膜（高达100 µm）。该系统通过采用大气盒装载和ø300毫米晶圆的优良工艺均匀性，实现了高产量。

PD-2201LC 是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。 该系统在节省空间的前提下提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的理想选择，具有优异的重复性。

PD-220N是用于沉积各种硅薄膜（SiO2、Si3N4等）的等离子体CVD系统。 PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时，占地面积比本公司的传统系统小40%。 从尖端研究到半大规模生产，它的应用范围很广。

PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。 该系统以非常紧凑的占地面积提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是研发用薄膜沉积以及试生产的理想选择。

RIE-10NR是一种新型的低成本、高性能的全自动反应离子蚀刻系统，它能满足非腐蚀性气体化学最苛刻的工艺要求。计算机化的触摸屏为参数控制和存储提供了一个用户友好的界面。该系统可实现精确的侧壁轮廓控制和材料间的高蚀刻选择性。RIE-10NR具有时尚、紧凑的设计，需要最小的洁净室空间。

RIE-300NR是一种理想的反应离子蚀刻系统，适用于加工ø300mm晶圆和多晶圆（ø3"×12，ø4"×8等），具有优异的均匀性。该系统的设计旨在最大限度地减少工厂空间需求，提高产量，最大限度地延长正常运行时间，并通过可靠的硬件和便捷的服务降低拥有成本。

RIE-230iP是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的负载锁定型ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电极，高效地产生稳定的高密度等离子体，可对硅及各种金属薄膜和化合物半导体进行高精度的各向异性蚀刻。此外，ø230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。

RIE-230iPC是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的盒式ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电极，高效地产生稳定的高密度等离子体，实现了对硅、各种金属薄膜和化合物半导体的高精度各向异性蚀刻。此外，ø230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。

RIE-350iPC是一种盒式装载电感耦合等离子体(ICP)蚀刻设备，可处理多达ø350毫米的载盘，用于多晶圆批量处理。 该系统为各种蚀刻应用提供了坚固可靠的硬件和卓越的工艺控制，具有较高的生产率，如功率器件、微型LED、VCSEL、LD、电容器和射频滤波器。

RIE-400iP是用于ø4 "晶圆的负载锁定型蚀刻系统，可对各种半导体和绝缘膜进行高精度、高均匀性加工。采用独特的龙卷风线圈的电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma)作为放电形式，可产生均匀、高密度的等离子体。另外，可以根据加工材料和加工内容选择合适的等离子体源。

高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一个具有优良工艺重复性和稳定性的全规模生产系统。该系统是直径4英寸等小直径晶圆的专用系统，可以在最小的洁净室空间内安装。

RIE-200C是在拥有丰富交货业绩的CCP RIE系统 "RIE-10NR "的基础上开发的量产型盒式装载系统。该系统可对Si、Poly-Si、SiO₂、SiN等各种硅薄膜进行高精度蚀刻和灰化。采用双盒双臂机械手，PLC控制全自动操作，高性能存储工艺参数，实现了高产量。

RIE-200NL是一种负载锁定型的反应离子蚀刻系统，它提高了工艺的可重复性，并允许腐蚀性气体化学。完全优化的工艺室设计可在ø8 "晶圆或ø220mm小晶圆的载盘上提供优异的均匀性。该系统可实现精确的侧壁轮廓控制和材料之间的高蚀刻选择性。RIE-200NL设计时尚、紧凑，只需最小的洁净室空间。

RIE-400iPB是一款电感耦合等离子体放电设备，用于博世MEMS和电子元件工艺中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是为研究和开发目的而改装的。该系统由Robert Bosch GmbH（德国）授权，能够对MEMS和TSV所需的硅进行高速和高各向异性蚀刻。

PC-1100是一种平行板式等离子清洗机，用于清洗样品表面的有机和无机污染。 该工艺室允许用户安装多个电极架，架式电极配置的灵活性支持从小型电子元件到大型基板等多种产品的批量处理。

PC-300是一种平行板式等离子清洗机，用于清洗样品表面的有机和无机污染。 该工艺室允许用户安装多个电极架，架式电极配置的灵活性支持从研究到小批量生产的各种产品的批量处理。

UV-300HC是一款高性能的盒式装载UV臭氧清洗机，用于生产。这个行业领先的系统有2个装载盒，可以达到200-300nm/min的高灰化率。该系统利用紫外线照射、高浓度臭氧和可控阶段加热的独特组合，温和而有效地去除硅、玻璃、化合物半导体（GaN、SiC、GaAs和InP）、蓝宝石、陶瓷等各种基材上的有机物。

UV-1是一款紧凑型台式紫外线臭氧清洗机。该系统将紫外线照射、臭氧和平台加热独特地结合在一起，温和而有效地去除硅、玻璃、化合物半导体（GaN、GaAs、InP、SiC）、蓝宝石、陶瓷等各种基材上的有机物。

UV-300H是一款高性能的紧凑型紫外线臭氧清洗机。通过滑动抽屉将基材装入系统中。紫外线照射、高浓度臭氧和阶段性加热的独特组合，可温和而有效地去除硅、玻璃、化合物半导体（GaN、SiC、GaAs、InP）、蓝宝石、陶瓷等各种基材上的有机物。

RIE-10NR 是一款低成本、高性能、全自动的反应离子蚀刻系统，可满足非腐蚀性气体化学工艺的严苛需求。计算机化触摸屏提供了便于使用的参数控制和存储界面。该系统能够实现准确的侧壁轮廓控制，并在不同材料之间实现高蚀刻选择性。凭借紧凑设计，RIE-10NR 对洁净室空间的占用较小。

RIE-200NL 是一款负载锁式反应离子蚀刻系统，可提升工艺重复性，并支持腐蚀性气体化学工艺。经过优化的工艺模块和真空传输结构有助于稳定晶圆处理过程。

RIE-300NR 是一款用于 ø300 mm 晶圆和多片晶圆处理的反应离子蚀刻系统，可实现良好的均匀性。该系统设计重点包括减少工厂空间需求、提升通量、提高正常运行时间，并通过可靠硬件和便捷维护降低拥有成本。

RIE-200C 是一款面向量产的卡匣式系统，基于 Samco CCP RIE 系统 RIE-10NR 的交付经验开发。该系统面向稳定批量处理，适用于需要提高自动化和处理效率的反应离子蚀刻工艺。

SENTECH SE 400adv PV 椭偏仪。SE 400adv PV multi-angle 激光椭偏仪 用于 film 厚度 and 折射率 of anti-reflective single films

SENTECH SER 800 PV 椭偏仪。SER 800 PV 光谱椭偏仪 用于 光伏s 用于 分析 functional layers and antireflective coatings

SENTECH SLI 终点检测系统。SLI laser-based interferometric EPD 用于 工艺监测 and 终点检测s 是 the perfect partner 用于 原位 optical metrology

SENTECH SI 500 C ICP-RIE 刻蚀系统。SENTECH SI 500 C Cryogenic ICP-RIE system represents the leading edge 用于 inductively coupled plasma (ICP) etching

SENTECH Etchlab 200 RIE 等离子刻蚀系统。SENTECH Etchlab 200 RIE 等离子刻蚀系统 features the benefits of cost-effective direct loading 用于 RIE.

SENTECH SI 591 compact RIE 等离子刻蚀系统。SENTECH SI 591 compact RIE 等离子刻蚀系统 配备 load lock 是 a small-footprint solution 用于 chlorine and fluorine-based RIE.

SENTECH SI 500 C RIE 等离子刻蚀系统。SI 500 CCP RIE System 配备 He back side cooling, conductively coupled processing of substrates in RIE mode.

SENTECH SENpro 椭偏仪。The SENpro 是 a cost-effective 光谱椭偏仪 without compromising advanced measurement performance.

SENTECH SENDIRA 椭偏仪。The SENDIRA infrared 光谱椭偏仪 测量 thin film 厚度, 折射率, 消光系数

SENTECH SE 400adv 椭偏仪。SE 400adv multiple-angle 激光椭偏仪 用于 厚度 and 折射率 测量 透明薄膜

SENTECH SE 500adv 反射膜厚测量系统。The SE 500adv combines ellipsometry and reflectometry to eliminate the ambiguity of measuring layer 厚度 of transparent films.

SENTECH SENsolar PV 薄膜质量控制系统。SENsolar PV, 质量控制 用于 太阳能电池制造 of multi- and c-Si-based PERC, HJT, TOPCON, and Perovskite 太阳能电池制造

SENTECH SE 401adv 椭偏仪。SE 401adv 原位 激光椭偏仪 用于 原位 测量 sub-angstrom precision 测量 ultra-thin, single-layer films.

SENTECH FTPadv 膜厚探头。FTPadv Film Thickness Probe 用于 cost-effective table top solution 用于 spectroscopic reflectometry 具备 rapid 厚度 measurements.

SENTECH RM 1000 and RM 2000 反射膜厚测量系统。RM 1000 and 2000 spectroscopic reflectometry tools feature a UV to NIR spectral range from 200 nm to 1000 nm 用于 reliable measurement

SENTECH Depolab 200 PECVD 沉积系统。SENTECH Depolab 200 PECVD Open Lid System 是 a basic model 配备 the functions needed 用于 等离子增强化学气相沉积

SENTECH AL Real Time Monitor 椭偏仪。AL Real Time Monitor 用于 fast, precise process monnitoring and development 配备 ultra-high resolution of single ALD and ALE cycles.

SENTECH SI PEALD PEALD 原子层沉积系统。Si PEALD 原子层沉积 (ALD) 配备 the SI PEALD system 用于 precise, conformal, uniform and repeatable results

SENTECH SILAYO PEALD 原子层沉积系统。SENTECH SILAYO PEALD 是 a system specially designed 用于 use 配备 optical coatings on large substrates.

SENTECH SIPARS PECVD 沉积系统。SIPAR, the PECVD deposition system combining 等离子增强化学气相沉积 and 原子层沉积 in one Reactor.

SENTECH SI 原子层刻蚀系统。Atomic layer etching system 配备 stable plasma at low operating pressure and low ICP power 用于 低损伤 etching 配备 precise RF control.

SENTECH SI ICP-RIE 刻蚀系统。SI 500 ICP-RIE System 是 a 灵活且模块化 plasma etch system 配备 an ICP plasma source 用于 低损伤 etching and nanostructuring.

SENTECH SI PECVD 沉积系统。SI 500 D ICPECVD System 用于 低损伤, low-temperature inductively coupled 等离子增强化学气相沉积

SENTECH RM 1000 QC 反射膜厚测量系统。RM 1000 QC, an automated 光谱反射测量系统 用于 厚度 测量 transparent and semi-transparent films on patterned wafers.

SENTECH Plasma cluster configuration 等离子工艺集群系统。Fully integrated cluster configurations 用于 low damage ICP-RIE, ICPECVD, and PEALD able to fulfil the needs of production and R&D

SENTECH SENDURO accuva10 薄膜质量控制系统。SENDURO accuva10 fully-automated thin film Quality Control 测量 film 厚度, 折射率, and 消光系数

SENTECH SENTECH SENol 仪器系统。SENTECH SENsol precision QC 用于 Large Glass and Foil Substrates ensuring film 厚度 uniformity, quality and flatness.