ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-230iPC

概要

RIE-230iPC是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的盒式ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电极，高效地产生稳定的高密度等离子体，实现了对硅、各种金属薄膜和化合物半导体的高精度各向异性蚀刻。此外，ø230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。

主要特点和优点

• 龙卷风线圈电极
• 它能有效地产生稳定的高密度等离子体，使蚀刻具有高选择性、高精度和良好的均匀性。
• 低损伤工艺
• 通过ICP产生高密度的等离子体，实现了低偏置、低损伤的工艺。
• 温度控制
• 电调和He冷却的平台和反应室内侧壁的温度控制使蚀刻在稳定的条件下进行。

应用

• GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。
• 铁电材料和电极材料的加工。