ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iPC

概要

高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一个具有优良工艺重复性和稳定性的全规模生产系统。该系统是直径4英寸等小直径晶圆的专用系统，可以在最小的洁净室空间内安装。

主要特点和优点

• 新的ICP源 "HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil"
• 可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。
• 大流量排气系统
• 排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。
• 端点监测
• 干涉法和发射光谱终点监测仪可用于目标薄膜厚度的终点检测。
• 易于维护的设计
• TMP(涡轮分子泵)已集成在一个单元中，便于更换。

应用

• GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工
• SiC、SiO₂的高速加工
• 蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料