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共 65 条 · 半导体光刻与外延设备

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ZI-3600

ZI-3600

ZI-3600

配备三种不同分辨率的镜头高分辨率、高生产率的晶圆图案检测系统

可变EB掩模写入器EBM-8000P/H・EBM-8000P/M

Variable EB Mask Writer EBM-8000P/H・EBM-8000P/M

可变EB掩模写入器EBM-8000P/H・EBM-8000P/M

EBM－8000P/H 用于 16/14nm 节点生产 EBM－8000P/M 用于 45～20nm 节点生产

关键参数EBM-8000P/H
口罩尺寸6寸

EB掩模写入器EBM-9500

EB Mask Writer EBM-9500

EB掩模写入器EBM-9500

适用于 7nm+/5nm 节点的可变 EB 掩模写入系统“EBM-9500PLUS”。

口罩尺寸6寸
图片放置1.8nm（3σ）

多 EB 掩模写入器 MBM™-2000

Multi-EB Mask Writer MBM™-2000

多 EB 掩模写入器 MBM™-2000

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半导体工艺设备

薄膜沉积与PVD系统

快速热处理与CVD/ALD系统

铁电与压电测试系统

半导体涂胶显影与晶圆处理设备

激光光谱与光子学系统

光刻、太阳模拟与计量设备

晶圆键合、光刻与量测系统

晶圆检测、晶体生长与等离子工艺设备

低温、磁学与材料表征系统

薄膜沉积、PVD/ALD 与真空系统

光刻、无掩模直写与曝光系统

扫描探针、低温显微与磁测量系统

开尔文探针、表面电势与光电子系统

介电、阻抗与温控测量系统

晶圆键合、对准与键合系统

磁光克尔效应与无掩模光刻系统

离子注入系统

薄膜沉积与真空工艺系统

半导体二手设备

半导体检测量测设备

半导体沉积与热处理设备

适用于 3nm 节点设计规则的多 EB 掩模写入器“MBM™-2000”

口罩尺寸6寸
图片放置1.4nm(３σ)

多 EB 掩模写入器 MBM™-2000 PLUS

Multi-EB Mask Writer MBM™-2000 PLUS

多 EB 掩模写入器 MBM™-2000 PLUS

适用于 3nm+ 节点设计规则的多 EB 掩模写入器“MBM™-2000”

口罩尺寸6寸
图片放置1.3nm(３σ)

EPIREVO™ G8 8”单晶圆硅基氮化镓 MOCVD

EPIREVO™ G8 8” single-wafer GaN-on-Si MOCVD

EPIREVO™ G8 8”单晶圆硅基氮化镓 MOCVD

EPIREVO™ G8 MOCVD 系统可在 8 英寸硅基板上以高生长速率沉积高质量 GaN 薄膜。 EPIREVO™ G8 可实现低成本 LED 生产以及高性能功率器件应用，这两者都有助于社会减少碳足迹。

EPIREVO™ S6 6”单晶圆碳化硅外延反应器

EPIREVO™ S6 6” single-wafer SiC Epitaxial Reactor

EPIREVO™ S6 6”单晶圆碳化硅外延反应器

EPIREVO™ S6 将改进的 SiC 功率器件质量与低成本生产相结合。 EPIREVO™ S6 通过其 6 英寸产能、大于 50 µm/小时的生长速率和高温晶圆处理实现了高生产率。

EPIREVO™ S8 8”单晶圆碳化硅外延反应器

EPIREVO™ S8 8” single-wafer SiC Epitaxial Reactor

EPIREVO™ S8 8”单晶圆碳化硅外延反应器

EPIREVO™ S8 通过其 8 英寸功能实现高生产率，其配置和占地面积与用于 6 英寸晶圆的 EPIREVO™ S6 相同。

液体原料CVD设备 PD-100ST

PD-100ST

液体原料CVD设备 PD-100ST

PD-100ST是一种用于研发的低温(80 ~ 400°C)、高速(>300 nm/min)等离子体增强CVD系统。Samco独特的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到极厚的薄膜（高达100 µm）。PD-100ST具有时尚、紧凑的设计，只需要最小的洁净室空间。

液体原料CVD设备 PD-200STL

PD-200STL

液体原料CVD设备 PD-200STL

PD-200STL是一种用于研发的低温(80~400℃)、高速(>300nm/min)等离子体增强型CVD系统。Samco独特的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到极厚的薄膜（高达100μm）。PD-200STL具有时尚、紧凑的设计，只需要最小的洁净室空间。

液体原料CVD设备 PD-270STLC

PD-270STLC

液体原料CVD设备 PD-270STLC

PD-270STLC是一种低温(80 ~ 400°C)、高速(>300 nm/min)的等离子体增强CVD系统，可用于大规模生产。Samco独特的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到极厚的薄膜（高达100 µm）。该系统通过采用大气盒装载和ø236毫米的托架实现了高产量，可安装三个ø4英寸的晶圆。

液体原料CVD设备 PD-330STC

PD-330STC

液体原料CVD设备 PD-330STC

PD-330STC是一种低温(80 ~ 400°C)、高速(>300 nm/min)的等离子体增强CVD系统，可用于大规模生产。Samco独特的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到极厚的薄膜（高达100 µm）。该系统通过采用大气盒装载和ø300毫米晶圆的优良工艺均匀性，实现了高产量。