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共 65 条 · 半导体光刻与外延设备

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ø300毫米RIE等离子蚀刻设备 RIE-300NR

RIE-300NR

ø300毫米RIE等离子蚀刻设备 RIE-300NR

RIE-300NR是一种理想的反应离子蚀刻系统,适用于加工ø300mm晶圆和多晶圆(ø3"×12,ø4"×8等),具有优异的均匀性。该系统的设计旨在最大限度地减少工厂空间需求,提高产量,最大限度地延长正常运行时间,并通过可靠的硬件和便捷的服务降低拥有成本。
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装入卡带 RIE等离子蚀刻设备 RIE-200C

RIE-200C

装入卡带 RIE等离子蚀刻设备 RIE-200C

RIE-200C是在拥有丰富交货业绩的CCP RIE系统 "RIE-10NR "的基础上开发的量产型盒式装载系统。该系统可对Si、Poly-Si、SiO₂、SiN等各种硅薄膜进行高精度蚀刻和灰化。采用双盒双臂机械手,PLC控制全自动操作,高性能存储工艺参数,实现了高产量。
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RIE等离子蚀刻设备 RIE-10NR

RIE-10NR

RIE等离子蚀刻设备 RIE-10NR

RIE-10NR是一种新型的低成本、高性能的全自动反应离子蚀刻系统,它能满足非腐蚀性气体化学最苛刻的工艺要求。计算机化的触摸屏为参数控制和存储提供了一个用户友好的界面。该系统可实现精确的侧壁轮廓控制和材料间的高蚀刻选择性。RIE-10NR具有时尚、紧凑的设计,需要最小的洁净室空间。
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RIE等离子蚀刻系统 RIE-200NL

RIE-200NL

RIE等离子蚀刻系统 RIE-200NL

RIE-200NL是一种负载锁定型的反应离子蚀刻系统,它提高了工艺的可重复性,并允许腐蚀性气体化学。完全优化的工艺室设计可在ø8 "晶圆或ø220mm小晶圆的载盘上提供优异的均匀性。该系统可实现精确的侧壁轮廓控制和材料之间的高蚀刻选择性。RIE-200NL设计时尚、紧凑,只需最小的洁净室空间。
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深硅蚀刻设备 RIE-400iPB

RIE-400iPB

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深硅蚀刻设备 RIE-400iPB

RIE-400iPB是一款电感耦合等离子体放电设备,用于博世MEMS和电子元件工艺中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是为研究和开发目的而改装的。该系统由Robert Bosch GmbH(德国)授权,能够对MEMS和TSV所需的硅进行高速和高各向异性蚀刻。
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等离子清洗设备 PC-1100

PC-1100

等离子清洗设备 PC-1100

PC-1100是一种平行板式等离子清洗机,用于清洗样品表面的有机和无机污染。 该工艺室允许用户安装多个电极架,架式电极配置的灵活性支持从小型电子元件到大型基板等多种产品的批量处理。
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等离子清洗设备 PC-300

PC-300

等离子清洗设备 PC-300

PC-300是一种平行板式等离子清洗机,用于清洗样品表面的有机和无机污染。 该工艺室允许用户安装多个电极架,架式电极配置的灵活性支持从研究到小批量生产的各种产品的批量处理。
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盒式装载紫外线臭氧清洗设备 UV-300HC

UV-300HC

盒式装载紫外线臭氧清洗设备 UV-300HC

UV-300HC是一款高性能的盒式装载UV臭氧清洗机,用于生产。这个行业领先的系统有2个装载盒,可以达到200-300nm/min的高灰化率。该系统利用紫外线照射、高浓度臭氧和可控阶段加热的独特组合,温和而有效地去除硅、玻璃、化合物半导体(GaN、SiC、GaAs和InP)、蓝宝石、陶瓷等各种基材上的有机物。
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紫外线臭氧清洗机 UV-1

UV-1

紫外线臭氧清洗机 UV-1

UV-1是一款紧凑型台式紫外线臭氧清洗机。该系统将紫外线照射、臭氧和平台加热独特地结合在一起,温和而有效地去除硅、玻璃、化合物半导体(GaN、GaAs、InP、SiC)、蓝宝石、陶瓷等各种基材上的有机物。
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紫外线臭氧清洗机 UV-300H

UV-300H

紫外线臭氧清洗机 UV-300H

UV-300H是一款高性能的紧凑型紫外线臭氧清洗机。通过滑动抽屉将基材装入系统中。紫外线照射、高浓度臭氧和阶段性加热的独特组合,可温和而有效地去除硅、玻璃、化合物半导体(GaN、SiC、GaAs、InP)、蓝宝石、陶瓷等各种基材上的有机物。
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AIXTRON G10-SiC 碳化硅功率电子外延系统

G10-SiC

AIXTRON G10-SiC 碳化硅功率电子外延系统

G10-SiC 是 AIXTRON 面向 SiC 功率电子的 150/200 mm 高通量外延系统,采用可兼容双晶圆尺寸的批量反应器。
  • 晶圆尺寸150 mm 和 200 mm
  • 反应器配置9 x 150 mm 与 6 x 200 mm Planetary Reactor
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AIXTRON G10-GaN 氮化镓功率与射频外延系统

G10-GaN

AIXTRON G10-GaN 氮化镓功率与射频外延系统

G10-GaN 是 AIXTRON 面向 150/200 mm GaN 功率和射频应用的高通量外延系统。
  • 晶圆尺寸150 mm 和 200 mm
  • 工艺腔3 个工艺腔紧凑集群设计
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