PD-270STLC是一种低温(80 ~ 400°C)、高速(>300 nm/min)的等离子体增强CVD系统，可用于大规模生产。Samco独特的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到极厚的薄膜（高达100 µm）。该系统通过采用大气盒装载和ø236毫米的托架实现了高产量，可安装三个ø4英寸的晶圆。

PD-330STC是一种低温(80 ~ 400°C)、高速(>300 nm/min)的等离子体增强CVD系统，可用于大规模生产。Samco独特的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到极厚的薄膜（高达100 µm）。该系统通过采用大气盒装载和ø300毫米晶圆的优良工艺均匀性，实现了高产量。

PD-2201LC 是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。 该系统在节省空间的前提下提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的理想选择，具有优异的重复性。

PD-220N是用于沉积各种硅薄膜（SiO2、Si3N4等）的等离子体CVD系统。 PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时，占地面积比本公司的传统系统小40%。 从尖端研究到半大规模生产，它的应用范围很广。

PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。 该系统以非常紧凑的占地面积提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是研发用薄膜沉积以及试生产的理想选择。

PD-3800L是一种能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的锁载等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统。 该系统由于采用了大型反应室，并通过载盘装载多片晶圆进行批量处理，因此产量较高。在直径360mm的区域内可以沉积出具有优异的厚度均匀性和应力控制的薄膜，具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的理想选择，具有优异的重复性。

RIE-1C是用于半导体芯片故障分析的小型台式干式蚀刻系统。