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CVP21
晶圆分析仪 CVP21 是一款方便的工具,可在半导体研究或生产中通过电化学电容电压分析(ECV 分析、CV 分析)来测量半导体层中的掺杂分布。
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晶圆分析仪 CVP21 是一款方便的工具,可在半导体研究或生产中通过电化学电容电压分析(ECV 分析、CV 分析)来测量半导体层中的掺杂分布。
此外,该 ECV Profiler(CV-Profiler、C-V-Profiler)是分析或开发半导体光电化学湿法蚀刻(PEC-Etching)策略的绝佳选择。
CVP21 支持完整的材料系列:IV 族半导体,如硅 (Si)、锗 (Ge)、碳化硅 (SiC)、III-V 半导体、氮化物、II-VI 半导体以及不太常用的半导体。
样品尺寸:标准尺寸为 4*2 mm² 至完整的 8" 晶圆尺寸(可根据要求提供更小的样品)。
浓度分辨率 < 10^12 cm-3 至 > 10^21 cm-3。
深度分辨率 1 nm 至 100 µm。
CVP21 可以作为桌面单元交付,也可以以 60*80 厘米的占地面积交付,以最大限度地减少洁净室的空间需求。
CVP21安装要求:氮气或干燥空气,可调压力2..5巴,排气,真空通常为0.2巴,230V(-15%/+10%),50-60Hz,500VA-1000VA。
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