产品信息

4D - CV 映射

自动汞探针系统

CV Mapping 系统专为实现卓越的可重复性、准确性和安全性而设计，采用四维专利的逆汞探针技术，可直接测量非图案晶圆上的电容电压，而不会损坏样品。独特的 Mercury Refresh 功能通过确保清洁接触来提高性能，测试后样品上不会残留汞。防溢水箱每年只需更换两次。该系统基于 Windows 10 界面构建，用户友好且多功能，适用于研发和生产应用。

• 每次接触前更新水银，确保接触清洁 • 易于更换探头 • 探头与晶圆的接触面积最小化 • 不刮伤的聚碳酸酯探头材料

应用领域

高/低 k 薄膜的厚度和 k 值

载流子密度分析

外延层映射

低剂量离子注入层

氧化物完整性（Vbd、Qbd）

炉污染监测仪

SOI 晶圆表征

USJ 层载流子密度分布

规格

测量范围

电容测量范围：通过内部仪表测量0至20,000 pF，或受外部仪表规格限制

电流测量范围：50fA 至 1 mA

可用偏置：-100 至 100 V 内部，或由外部仪表指定高达 1000V

测量脉冲：50mV、100mV、Ch 大于 20μ、Cq 大于 1ms

晶圆尺寸：从 1 cm x 1 cm 方形芯片到 8 英寸或 12 英寸圆形晶圆

探头：水银点从2×10⁻⁵cm²到0.8cm²，不带水银环，或带1-2个水银环或外部探针台