Propel GaN MOCVD System for R&D and Production
基于 Veeco 成熟的 TurboDisc 技术，加速下一代设备的工艺开发
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基于 Veeco 成熟的 TurboDisc 技术，加速下一代设备的工艺开发
获取有关如何在 200mm (8”) 硅基板上使用 Veeco® Propel® TurboDisc® MOCVD 工具生长 GaN HEMT 结构的基本工艺信息。此信息并非设计、预期、推荐或授权用于任何类型的商业系统或应用。
台湾主要影响者任命 Veeco 为国际联盟成员，旨在实现半导体技术路线图
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欧洲领先的超辐射发光二极管开发商选择 Veeco Propel GaN MOCVD 平台
ALLOS-Veeco 合作实现更好的硅基氮化镓 microLED
欧司朗订购多台 Veeco MOCVD 系统
Veeco 在专利侵权诉讼中赢得初步禁令
Veeco 和 ALLOS 展示业界领先的 200mm 硅基氮化镓性能，以实现 Micro-LED 的采用
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