产品信息

基于 Veeco 成熟的 TurboDisc 技术，加速下一代设备的工艺开发

获取有关如何在 200mm (8”) 硅基板上使用 Veeco® Propel® TurboDisc® MOCVD 工具生长 GaN HEMT 结构的基本工艺信息。此信息并非设计、预期、推荐或授权用于任何类型的商业系统或应用。

台湾主要影响者任命 Veeco 为国际联盟成员，旨在实现半导体技术路线图

Veeco 和 Allos 的技术合作加快了全球领先客户的 200 MM 硅基氮化镓 MicroLED 应用步伐

Aledia 基于大晶圆 3D LED 生产的最佳性能而选择 Veeco Propel GaN MOCVD 平台

领先的半导体解决方案供应商选择 Veeco Propel HVM MOCVD 系统

欧洲领先的超辐射发光二极管开发商选择 Veeco Propel GaN MOCVD 平台

ALLOS-Veeco 合作实现更好的硅基氮化镓 microLED

欧司朗订购多台 Veeco MOCVD 系统

Veeco 在专利侵权诉讼中赢得初步禁令

Veeco 和 ALLOS 展示业界领先的 200mm 硅基氮化镓性能，以实现 Micro-LED 的采用

Veeco 宣布与imec 合作，利用单晶圆 Propel™ 技术提升基于 GaN 的功率器件的性能