产品信息

非常适合硬偏置、引线、绝缘层和传感器堆栈沉积

数据存储制造商可以大幅提高 80Gb/in2 传感器的产量，并利用 Veeco 的第三代 NEXUS® 离子束沉积 (IBD) 系统满足未来 TFMH 设备制造的需求。

非常适合 MRAM 应用以及 GMR 和 TMR 薄膜磁头

改进了所有准直沉积应用的 CD 控制

通过沉积羽流的对称到达获得更锐利的起飞角

平台可轻松与PVD、IBE等技术集成

Veeco 的 Frank Cerio 博士是一位领先的工艺开发工程师，他在 IEEE 国际互连技术会议 (IITC) 上发表了演讲。演讲“使用离子束沉积实现低电阻率钨的微观结构优化”也以海报形式呈现。现在观看：

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