LowTemp™ 等离子体激活系统

用于 SOI、MEMS、化合物半导体和先进衬底键合的低温等离子体激活系统

EVG810 LT LowTemp™ 等离子体激活系统是一个单室、独立装置，具有手动操作功能。处理室允许异位处理（晶片被一张一张地激活并在等离子体激活室外部粘合）。 EVG810 LT系统可以与EVG的清洁和粘合系统结合使用，以实现手动操作直接粘合过程。

特征

用于低温键合的表面等离子体激活（熔融/分子和中间层键合）

所有晶圆键合机制中最快的动力学

无需湿法工艺

低温退火（最高 400 °C）时具有最高的结合强度

适用于 SOI、MEMS、化合物半导体和先进基板接合

高度的材料兼容性（包括 CMOS）