FAaST 数字 SPV 系统提供了一种快速、非接触且无需准备的方法，可对硅中的污染物进行全晶圆成像。几分钟内即可生成扩散长度和铁 (Fe) 浓度的高分辨率图，为铁污染控制的精度和灵敏度设定了行业标准，达到 E7 cm-3 范围。

产品概述

毫无疑问，金属污染对集成电路中使用的关键栅极氧化物的完整性产生有害影响。在高温处理过程中，硅晶圆中的污染物通常会在硅/电介质界面处沉淀或偏析到电介质中，这两种情况都会导致器件过早失效并降低产量。随着设备尺寸缩小，对污染的耐受性也会降低，因此需要更低的铁 (Fe) 等金属背景水平。在过去 25 年中，IC 行业已将典型的 Fe 浓度降低了三个数量级以上，但进一步降低仍至关重要，特别是对于 CMOS 图像传感器等应用。

FAaST 数字 SPV 系统以行业领先的灵敏度和速度应对这一挑战。它提供了一种快速、非接触且无需准备的污染全晶圆成像方法。少数载流子扩散长度和 Fe 浓度的高分辨率图可在几分钟内生成，使工厂能够检测和控制低至 E7 cm⁻3 范围的污染水平。

图 1. 新 IC 生产线中的典型背景 Fe 浓度（蓝色）和最先进的 SPV 检测限（红色）

应用领域

锭资质

输出/输入抛光晶圆

清洁

扩散炉监控

快速热退火

特色市场

裸晶圆和面板制造

CMOS技术

专业

FAaST® CV/IV 系统

CnCV®系统

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