Element S 系统提供了基于传输和反射的技术的独特组合，使其成为介电监测的重要工具。

产品概述

Element S 系统专为专业市场而设计，特别是快速增长的 Si/SiC/GaN 功率器件市场中使用的较小 100mm 至 200mm 晶圆尺寸。 Element S 系统以 Element 傅里叶变换红外 (FTIR) 系统的成功为基础，可以精确测量最多五层外延层的厚度和自由载流子浓度。这种能力对于表征下一代 SiC 功率器件所需的厚外延膜至关重要，下一代 SiC 功率器件需要厚外延层来实现更高的隔离电压。

凭借其较小的光斑尺寸，Element S 系统可以进行直至晶圆最边缘的测量，从而在功率器件客户转向 200mm 晶圆时最大限度地提高芯片良率并提高生产效率。凭借改进的灵敏度、先进的多层外延算法和领先的多红外峰值建模，Element S 系统为晶圆和器件制造商提供外延和薄膜成分监测方面的关键和多功能功能。

应用领域

多层外延层、过渡区厚度和衬底浓度

功率器件EPI和缓冲层

BPSG、FSG、SiN、HSQ、SiON、SiCN、SiOC

多个 IR 峰值指标

间隙氧和替代碳

氧剂量和氧沉淀

特色市场

裸晶圆和面板制造

专业

Element™ G2 系统

Iris™ S 系统

方面S系统

使用 FTIR 提高 SiC 功率器件性能