Element G2 System
Element G2 系统是一款高速外延层计量和晶圆/薄膜成分控制系统，适用于晶圆制造商、先进逻辑、DRAM 和 3D NAND。
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Element G2 系统是一款高速外延层计量和晶圆/薄膜成分控制系统，适用于晶圆制造商、先进逻辑、DRAM 和 3D NAND。
产品概述
Element G2 系统专为晶圆供应商设计，用于执行高速杂质映射和外延厚度测量。它结合了基于透射和反射的技术，并与先进的红外建模功能相结合，提供了一种独特的介电成分和薄膜厚度监测方法。凭借改进的灵敏度和尖端算法，Element G2 系统是一种重要的计量工具，广泛用于监测 BPSG、FSG、SiN 中的 H 等电介质。机器学习有助于消除介电测量中对监控晶圆的需求。
该系统具有清晰的 2mm 圆形红外光斑、高灵敏度干涉仪和先进的模式识别功能。 Element G2 系统配备 1 级五轴双臂边缘夹具晶圆处理系统，即使在晶圆边缘，也能提供高精度和高吞吐量。
应用领域
多层外延层、过渡区厚度和衬底浓度
功率器件EPI和缓冲层
BPSG、FSG、SiN、HSQ、SiON、SiCN、SiOC
多个 IR 峰值指标
间隙氧和替代碳
氧剂量和氧沉淀
特色市场
裸晶圆和面板制造
CMOS技术
Element™ S 系统
Iris™ S 系统
方面S系统
用于 3D NAND 单元氮化物和非晶碳硬掩模中氢含量测量的先进 FTIR 光学建模
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