CnCV 系统无需制造测试设备即可对 WBG 材料进行晶圆级表征，从而减少了时间和成本。作为 MCV 的无汞替代品，它消除了污染问题。具有紫外线辅助电晕电荷中和功能的增强型动力学 CV 模式可实现高通量和高精度，从而实现快速、可靠的过程控制。

产品概述

CnCV 系统采用新颖的恒定表面电势电晕充电技术，可在大电压范围内实现所需的精度。该专利技术包括充电和光辅助模式，特别适合 WBG 材料和结构的速度和精度，包括 SiC、Ga 2 O 3 、GaN 和 AlGaN/GaN HEMT。此外，电晕-开尔文表征包括 SiC 和 GaN 外延层上的电介质和薄膜界面的电特性。还可以使用自动顶侧边缘接触 (TSEC) 来表征绝缘/半绝缘基板上的 WBG。 CnCV 系统还提供自动偏置温度应力 (BTS) 测量，提供一种快速、非接触式的方法来量化钝化 SiC 和 GaN 的可靠性。

除了典型的 CV 类型参数之外，全晶圆电晕方法还允许进行 QUAD（质量、均匀性和缺陷）映射。电气缺陷成像 QUAD-EDI 模式专为 SiC 设计。它提供了一种独特的方法来快速筛选外延电气缺陷，从而改进器件良率预测。

图 1. 合并肖特基 PiN 二极管制造后，最终金属化器件晶圆上的 QUAD-EDI 图，用于识别失效芯片。

应用领域

WBG 材料中的非接触式外延掺杂深度分析

AlGaN\GaN HEMT 测量（夹断电压和 2DEG 片电荷）

用于产量预测的 SiC 介电和界面表征电缺陷成像

钝化 WBG 材料的偏置温度应力 (BTS) 不稳定性测量

特色市场

裸晶圆和面板制造

专业

FAaST® 数字 SPV 系统

FAaST® CV/IV 系统

用于工业 WBG 晶圆测试和电气缺陷相关良率预测的电晕非接触式计量工具 (CnCV) 的最新技术进展综述

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