产品信息

复杂 TSV/TGV 结构的均匀、高速沉积。

Kurt J. Lesker Company® TSV/TGV 系列专为沉积硅通孔 (TSV) 和玻璃通孔 (TGV) 而设计。技术上卓越的腔室设计能够沉积具有高纵横比（高达 8:1）的粘附层、阻挡层和籽晶层，这些是 TSV 和 TGV 架构的一部分。 KJLC 的 eKLipse 软件控制系统可实现稳定的高沉积速率和高均匀性，允许在破坏真空之前处理 10 片晶圆。

TSV 和 TGV 是直接通过硅晶圆或玻璃基板形成的垂直电气互连，可实现高密度、高性能 3D 封装。 TSV 是在硅上蚀刻的孔，这些孔是绝缘的，内衬阻挡层和种子金属，然后通常用铜填充，以在堆叠芯片之间或芯片和中介层之间创建低电阻、高速连接。 TGV 具有类似的用途，但由玻璃制成，具有低射频损耗、出色的热稳定性和更光滑的表面等优点。 TSV 和 TGV 共同提供紧凑的垂直信号路径，可减少布线长度、提高电气性能并实现先进的异构集成。

人工智能就绪

TSV 和 TGV 可以在 TSV/TGV 系列物理气相沉积 (PVD) 系统中高效制造。有兴趣为您的应用创建 TSV 和 TGV 吗？然后让我们看看 TSV/TGV 工具所需的关键构建块：

原子层沉积 (ALD) 用于将保形涂层涂覆到 > 10:1 的高深宽比 (HAR) 结构中，例如用于 TSV/TGV。

双 TSV 系统，具有多基板通用装载锁和机器人传输。显示转移到具有 HiPIMS 磁控管电源和 HiPIMS 偏置功能的专用氮化物室。

具有电介质（非 PVD）、PVD TaN 阻挡层和 Cu 籽晶层的高深宽比 TSV。

TSV/TGV 系列系统可用的功能

应用驱动的腔室设计

单个处理室或专用处理模块 - 每个处理室都具有优化的几何形状和尺寸，以促进出色的薄膜均匀性和高效的材料利用率。

基材阶段