产品信息

旨在为倒装芯片应用以更长的投射距离生产精确的铟凸块

Kurt J. Lesker Company® 铟系列是一款功能齐全的薄膜沉积平台，可利用我们先进的 eKLipse 控制软件在最大 200 毫米的晶圆上进行沉积。 INDIUM系列专为铟凸块加工而设计。技术上卓越的腔室设计可提供液氮冷却的基材、厚的铟沉积（高达 20μm）以及超过 100 Å/秒的极高沉积速率。 KJLC 的 eKLipse 软件控制系统可实现稳定的速率，长时间的沉积运行允许在破坏真空之前处理 10 片晶圆。

铟凸块键合是一种用于在量子应用的超导电路中创建可靠且低损耗的 3D 倒装芯片互连的技术。铟在室温下形成牢固、稳定的键，即使在毫开尔文温度下也能保持牢固，因为它具有自键合能力并且在低温水平下缺乏脆性。其 3.4K 的超导性也使其成为低损耗量子电路键合的理想选择。

人工智能就绪

铟凸块可以在 Kurt J. Lesker INDIUM 系列物理气相沉积 (PVD) 系统中轻松制造。有兴趣为您的应用创建铟凸块吗？然后让我们看看铟凸块键合工具所需的关键构建模块：

Kurt J. Lesker INDIUM 系列是一个蒸发平台，专为制造铟凸点键合而设计和优化。它提供用户友好的操作并简化维护，为该应用提供可靠且多功能的解决方案。

长投程铟蒸发系统。

大型坩埚、铟块进料器和专用屏蔽允许在系统排气之前进行多次运行。

INDIUM 系列系统可用的功能

处理室

处理室具有优化的几何形状和尺寸，可实现出色的薄膜均匀性和高效的材料利用率。源到基板的距离设置为最小 15.5" (39.4 cm)，以限制铟能量并减少基板热负荷，同时支持超过 100 Å/秒的高沉积速率（取决于源和投射距离）。这种配置有利于形成具有强大剥离特性的高深宽比凸块所需的铟的卓越垂直生长。低温泵送保持较低的基础压力，从而降低污染风险并实现从大气压力到工艺压力的快速过渡。

铟蒸发源