产品信息

最大书写区域为 195 毫米 x 195 毫米。

295mm x 295mm 最大书写区域可供选择。

最大晶圆尺寸为 230mm x 230mm x 15mm。

330mm x 330mm x 15mm（可定制最大330mm x 330mm x 175mm）最大晶圆尺寸可供选择。

整个写入区域的最小特征尺寸为 0.6μm、1μm、2μm 和 5μm。 0.4um 最小特征尺寸可供选择。

通过软件自动选择最小特征尺寸 - 无需手动更换镜头。

385nm长寿命半导体光源，适用于宽带、g、h、i线正负光刻胶（例如S1800、ECI-3000、MiR 701、SU-8）。提供替代 365nm 光源作为选项，以提高 SU-8 光刻胶的性能。双波长选项（405nm 光源和 365nm 光源，软件可选）可实现 g、h 和 i 线光刻胶的最佳性能。

XY 干涉仪具有 1nm 分辨率，可实现精确运动控制。

极快的写入速度 - 高达：15mm2/分钟（最小特征尺寸 0.6μm）、50mm2/分钟（最小特征尺寸 1μm）、120mm2/分钟（最小特征尺寸 2μm）和 180mm2/分钟（最小特征尺寸 5μm）。这些技术允许在 30 分钟内对包含关键区域和非关键区域的典型 50mm x 50mm 区域进行曝光，或者在 2 小时内对典型的 100mm x 100mm 区域以 2μm 最小特征尺寸进行曝光。

使用黄光和实时表面跟踪激光的自动对焦系统 - 无最小晶圆尺寸。

高品质无限共轭光学显微镜，配有 x3 非球面物镜、x5 和 x10 奥林巴斯平场消色差物镜、x20 奥林巴斯平场复消色差物镜以及用于对准晶圆上光刻标记的黄光照明（±0.5μm 3σ 对准精度）。 x50 奥林巴斯平场复消色差物镜可供选择。

通过软件在显微镜放大倍率之间自动切换 - 无需手动更换镜头。可以在软件中选择额外的 4 倍数字变焦。

用于 3 维图案化的灰度曝光模式（最多 768 个灰度级）。

用于外部接口和控制的软件 API。

30nm 最小可寻址网格。 12.5nm 最小可寻址网格可供选择。 4nm 样品台分辨率。

可接受的文件格式：CIF、GDS2、BMP、TIFF、JPEG、PNG、GIF； Oasis、DXF、Gerber RS-274X 通过 Clewin 6 转换可接受。

自动激光晶圆定心工具。

内置二维光学表面轮廓仪（100nm 厚度分辨率），用于检查曝光的抗蚀剂、沉积层、蚀刻和其他 MEMS 工艺步骤。

自动晶圆检查工具可以对晶圆上的每个芯片进行成像。

虚拟掩模对准器模式，其中要曝光的图案显示在实时显微镜图像的顶部，允许机器像传统掩模对准器一样使用。

自动校准工具允许用户检查和纠正校准。

可通过软件自动生成二维条码进行曝光。然后，软件可以识别开发的条形码图案并读取内容。

曝光完成后向多个用户发送电子邮件。

多晶圆/芯片处理，允许为卡盘上的多个晶圆或芯片提供不同的曝光图案和对准坐标。用于过夜暴露多个用户的样本。

包括被动隔振光学平台。

带安全联锁和温度补偿至 ±0.25⁰C 的避光外壳

提供易于使用、基于 Windows® 的控制软件。

附带 Clewin 6 掩模设计软件。

配备预配置的 64 位 Windows® 10/11 PC，配有显示器、键盘和鼠标。

包括由经过培训的服务技术人员进行现场安装。

对于大学和工业研发预算来说，价格极具竞争力。

90-260 VAC、50-60Hz、4A 单相电源要求。

占地面积 90 厘米（宽）x 75 厘米（深）；身高153cm（含光学平台；不含PC工作站）。

具有 CE 标志并符合 EN-61010 标准。