产品信息

最大书写区域为 149 毫米 x 149 毫米。

最大晶圆尺寸为 155mm x 155mm x 7mm。

整个书写区域的最小特征尺寸为 1μm 和 5μm。

通过软件自动选择分辨率 - 无需手动更换镜头。

405nm 长寿命半导体光源，适用于宽带、g 线和 h 线正负光刻胶（例如 S1800、ECI-3000、MiR 701）。可选择替换 385nm 和 365nm 光源，适用于 g-、h- 和 i-线光刻胶（例如 SU-8）。

双波长选项（405nm 光源和 365nm 光源，软件可选）可实现 g、h 和 i 线光刻胶的最佳性能。

XY 干涉仪具有 15nm 分辨率，可实现精确运动控制。

快速写入速度：高达 50mm2/分钟（最小特征尺寸 1μm）和 180mm2/分钟（最小特征尺寸 5μm），允许在 30 分钟内曝光结合关键和非关键区域的典型 50mm x 50mm 区域。

使用黄光和实时表面跟踪激光的自动对焦系统 - 无最小晶圆尺寸。

高品质无限共轭光学显微镜相机，配有 x3 非球面物镜和 x10 奥林巴斯平场物镜以及黄光照明，用于对准晶圆上的光刻标记（±1μm 3σ 对准精度）。

通过软件在显微镜放大倍率之间自动切换 - 无需手动更换镜头。可以在软件中选择额外的 4 倍数字变焦。

用于 3 维图案的灰度曝光模式（255 个灰度级）。

用于外部接口和控制的软件 API。

60nm最小可寻址网格； 15nm 样品台分辨率。

可接受的文件格式：CIF、GDS2、BMP、TIFF、JPEG、PNG、GIF；通过 KLayout 转换可接受 Oasis、DXF、Gerber RS-274X。

自动激光晶圆定心工具。

内置二维光学表面轮廓仪（200nm 厚度分辨率），用于检查曝光的抗蚀剂、沉积层、蚀刻和其他 MEMS 工艺步骤。

自动晶圆检查工具可以对晶圆上的每个芯片进行成像。

自动校准工具允许用户检查和纠正校准。

可通过软件自动生成二维条码进行曝光。然后，软件可以识别开发的条形码图案并读取内容。

外部尺寸：700毫米（宽）x 700毫米（深）x 750毫米（高），不包括计算机。

带安全联锁装置的避光外壳。

专为桌面使用而设计 - 无需光学平台。

提供易于使用、基于 Windows® 的控制软件。

附带 KLayout 开源掩模设计软件 (www.klayout.de)

随附预配置的 64 位 Windows® 10/11 PC 和显示器，用于“即插即用”安装。

提供所有电缆。

对于大学和工业研发预算来说，价格极具竞争力。

稍后可以升级到 MicroWriter ML®3 Mesa 或 Pro 以获得更高的性能。

具有 CE 标志并符合 EN-61010 标准。

90-260 VAC、50-60Hz、4A 单相电源要求。