Full Surface Ion Beam Etching on 150 mm Substrates
产品信息 scia Mill 150 设计用于构建各种材料的复杂多层结构。凭借其完全反应气体兼容性，该系统还可以实现具有增强选择性和速率的反应蚀刻工艺。由于其节省空间的设计，scia Mill 150 非常适合小规模生产和研发应用。
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scia Mill 150 设计用于构建各种材料的复杂多层结构。凭借其完全反应气体兼容性，该系统还可以实现具有增强选择性和速率的反应蚀刻工艺。由于其节省空间的设计，scia Mill 150 非常适合小规模生产和研发应用。
特点和优点
通过可倾斜和可旋转的基板支架调整蚀刻角度
无需整形器即可实现出色的均匀性
提高反应气体的选择性和速率
通过精确的 SIMS 或光学终点检测进行过程控制
适应可变基材尺寸的载体概念
由于良好的晶圆冷却，可以使用光刻胶掩模处理晶圆
具有单基板装载锁的单室
带负载锁、SIMS 和加热夹套的单室，用于反应过程
穿过洁净室墙壁安装
应用领域
蚀刻边缘的 SEM 图片由 DIAS Infrared GmbH 提供。
使用光致抗蚀剂和 15° 入射角蚀刻 15 µm 钽酸锂，形成热释电传感器。
左：具有锋利边缘的标准光刻胶掩模。
右：具有光滑边缘的优化光致抗蚀剂可改善传感器的电粘合。
磁存储器 (MRAM) 和传感器（GMR、TMR 等）的结构
金属（Au、Ru、Ta、...）、压电和介电材料（PZT、KNN、AlScN、InP、Cu、Pt、Au、...）的结构化，例如用于 MEMS 生产
用于失效分析的多层结构分层
用于光子集成电路 (PIC) 的波导（LiNbO3、BTO 等）图案化
生产用于增强现实的倾斜表面浮雕光栅 (SRG)
化合物半导体（GaAs、GaN、InP 等）的化学辅助离子束蚀刻 (CAIBE)
离子束平滑以降低微观粗糙度
用于 AR 和 MR 设备的表面浮雕光栅
用于隧道磁阻 (TMR) 传感器的磁性多层膜
用于红外传感器的超薄钽酸锂的制造
IC芯片器件逆向工程
原则
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