产品信息

scia Magna 200 用于通过沉积金属和/或介电层来进行精密晶圆涂层。凭借其可选的溅射模式和布置，系统可以根据客户的要求进行配置。此外，该系统适用于小规模研发应用以及大规模生产，采用集群布局并由软件控制自动生产。

特点和优点

用于一致性和压力控制的射频偏置

可旋转基板支架具有出色的均匀性

采用氦冷却触点和静电吸盘实现低基板温度

单极和双极模式下的反应溅射具有高沉积速率

通过可调节的高能基底轰击改变薄膜特性

磁控管共焦排列共溅射

具有 2 个处理室和盒处理的集群布局

具有单基板装载锁的单室

应用领域

使用双极脉冲直流在 150 毫米直径上进行共焦排列的二氧化硅反应溅射沉积。硅片。均匀度变化 < 0.8 % (σ/平均值)，应力 -300 MPa，

沉积速率7纳米/分钟。 1.48 的折射率表明化学计量且致密的二氧化硅沉积。

TC-SAW 器件温度补偿膜 (SiO2)

具有优异且明确的晶体取向的压电薄膜（AlN、AlScN）和电极材料（Mo）

光学高折射率和低折射率涂层（SiO2、TiO2、HfO2、ZrO2、Nb2O5、Ta2O5）

电绝缘膜（Si3N4、SiO2、Al2O3）

金属和合金的共溅射

应用说明

声表面波晶片 (TC-SAW) 的温度补偿

原则

磁控溅射有多种配置：具有旋转磁场的单磁控管，磁控管直径。 > 基材直径共焦排列最多 4 个磁控管，磁控管直径< 基材直径（需要旋转）Fraunhofer FEP 的 DRM 400，带有两个同心目标，磁控管直径> 基材直径

带旋转磁场的单磁控管，磁控管直径。 > 基材直径

共焦排列最多 4 个磁控管，磁控管直径< 基材直径（需要轮换）

Fraunhofer FEP 的 DRM 400 具有两个同心目标，磁控管直径> 基材直径

磁控溅射利用等离子体离子轰击靶材在基材表面沉积薄膜。

使用单圆形 FFE 磁控管进行静态沉积

最多 4 个磁控管的共焦溅射