产品信息

scia Cube 300 专为大面积高密度等离子体工艺而设计。该系统能够实现高速率和多种沉积参数的沉积。此外，可以使用氧或卤素化学物质进行蚀刻工艺，以实现高各向异性蚀刻和/或优化的选择性。

特点和优点

使用同步线性微波源阵列进行大面积处理

基板支架上的独立射频偏压可用于高能基板轰击

基板冷却 (-10 °C) 或加热 (850 °C)

腔体原位清洗工艺

应用领域

生长的合成掺硼金刚石 (BDD) 层的 SEM 图像由 STU Bratislava 提供。在极低温度（390°C）下加工。高质量 BDD 的生长速率高达 70 nm/h。

PECVD 工艺沉积介电薄膜，例如封装、阻隔涂层、电绝缘（SiO2、Si3N4...）光学和防刮涂层（a-C:H、DLC）纳米晶金刚石和碳纳米管的生长

介电薄膜的沉积，例如封装、阻隔涂层、电绝缘（SiO2、Si3N4...）

光学和防刮涂层（a-C:H、DLC）

纳米晶金刚石和碳纳米管的生长

RIE 工艺金属（Ni、Cr、Pt...）的反应蚀刻和结构化光学材料（石英、熔融石英）中的光栅和其他结构的蚀刻光刻胶的灰化

金属（Ni、Cr、Pt……）的反应蚀刻和结构化

光学材料（石英、熔融石英）中的光栅和其他结构的蚀刻

光刻胶灰化

应用说明

用于玻璃压缩模具的 DLC 沉积

原则

反应气体等离子体由微波源产生

通过射频偏压增强离子轰击

等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 是一种等离子体辅助反应工艺，可在基材上将薄膜从气态（蒸气）沉积为固态。

反应离子蚀刻 (RIE) 使用反应气体和离子轰击对基材表面进行物理和化学蚀刻。

详细信息

基材尺寸（最大）

300毫米×200毫米

基板支架

水冷、射频偏置