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Photoresist Developer
C&D 光刻胶显影剂设计用于处理 50mm 至 300mm 晶圆。 C&D 光刻胶显影剂适用于我们的多个线性和集群平台，旨在满足多种不同的处理要求。该系统可以配置多个分配、温度控制、水性或溶剂显影以及选择的喷嘴。光学边缘珠曝光 (OEBE) 和泛光曝光等选项模块可在同一工具中简化您的流程。
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光刻胶显影剂
C&D 光刻胶显影剂设计用于处理 50mm 至 300mm 晶圆。 C&D 光刻胶显影剂适用于我们的多个线性和集群平台，旨在满足多种不同的处理要求。该系统可以配置多个分配、温度控制、水性或溶剂显影以及选择的喷嘴。光学边缘珠曝光 (OEBE) 和泛光曝光等选项模块可在同一工具中简化您的流程。
我们专注于定制光刻胶显影剂，可满足特定客户的要求，以提高效率并降低成本。我们的专业技术人员能够完全定制模块数量和工具布局，以满足您生产需求中的尺寸限制和工艺要求。
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